微电子技术专家。1928年5月1日生于浙江宁波。1951年毕业于浙江大学物理系。1958年获苏联列宁格勒大学物理－数学副博士学位。清华大学教授。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。
50年代初，在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比PbS红外探测器。1959年研制成高超纯多晶硅。60年代从事硅器件研究，其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果，促进了国内有关的研究和生产。1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研究，领导、指导和直接参与了多种静态存储器，8位、16位高速微处理器、EEPROM和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作，并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。近期的研究包括：系统芯片集成和微电子机械技术。
1958年获苏联列宁格勒大学物理－数学副博士学位。清华大学教授。50年代初，在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比PbS红外探测器。1959年研制成高超纯多晶硅。60年代从事硅器件研究，其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果，促进了国内有关的研究和生产。1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研究，领导、指导和直接参与了多种静态存储器，8位、16位高速微处理器、EEPROM和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作，并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。近期的研究包括：系统芯片集成和微电子机械技术。1991当选为中国科学院院士（学部委员）。
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于2011年5月2日凌晨4时30分在北京病逝，享年83岁。
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李志坚院士，浙江宁波人，出生于1928年5月1日，微电子技术专家，1951年毕业于浙江大学物理系，1958年获苏联列宁格勒大学物理－数学副博士学位。清华大学教授。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。原清华大学微电子学所所长，中国电子学会第三、第四、第五、第六届理事会副理事长、常务理事、理事，于2011年5月2日凌晨4时30分，因病医治无效在北京病逝，享年83岁。
